|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Evolution of Deep Defect Centers in Semi-Insulating 4H-SiC Substrates under High-Temperature Annealing |
| Auteur: |
Maximenko, S.I. Freitas, J.A. Garces, N.Y. Glaser, E.R. Fanton, M.A. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 38 (2008) nr. 4 pagina's 551-556 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |