|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Nearly Perfect Electrical Activation Efficiencies from Silicon-Implanted AlxGa1−xN with High Aluminum Mole Fraction |
| Auteur: |
Moore, E.A. Yeo, Y.K. Ryu, Mee-Yi Hengehold, R.L. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 38 (2008) nr. 1 pagina's 153-158 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |