|
Effect of Proton Irradiation on Interface State Density in Sc2O3/GaN and Sc2O3/MgO/GaN Diodes |
|
|
|
Titel: |
Effect of Proton Irradiation on Interface State Density in Sc2O3/GaN and Sc2O3/MgO/GaN Diodes |
Auteur: |
Allums, K.K. Hlad, M. Gerger, A.P. Gila, B.P. Abernathy, C.R. Pearton, S.J. Ren, F. Dwivedi, R. Fogarty, T.N. Wilkins, R. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 36 (2007) nr. 4 pagina's 519-523 |
Jaar: |
2007 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers-Plenum Publishers, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|