|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Memory Effect of Metal-Insulator-Silicon Capacitor with HfO2-Al2O3 Multilayer and Hafnium Nitride Gate |
| Auteur: |
Ding, Shi-Jin Zhang, Min Chen, Wei Zhang, David Wei Wang, Li-Kang |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 36 (2007) nr. 3 pagina's 253-257 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |