|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Thermal characteristics of InP, InAlAs, and AlGaAsSb metamorphic buffer layers used in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As heterojunction bipolar transistors grown on GaAs substrates |
| Auteur: |
Kim, Y. M. Rodwell, M. J. W. Gossard, A. C. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 3 pagina's 196-199 |
| Jaar: |
2002-04-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |