|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Reactive ion etching of SiC using C2F6/O2 inductively coupled plasma |
| Auteur: |
Kong, S. -M. Choi, H. -J. Lee, B. -T. Han, S. -Y. Lee, J. L. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 31 (2002) nr. 3 pagina's 209-213 |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |