|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
High quality AIN and GaN grown on compliant Si/SiC substrates by gas source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Kipshidze, G. Nikishin, S. Kuryatkov, V. Choi, K. Gherasoiu, Ìu. Prokofyeva, T. Holtz, M. Temkin, H. Hobart, K. D. Kub, F. J. Fatemi, M. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 7 pagina's 825-828 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |