|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of processing conditions on inversion layer mobility and interface state density in 4H−SiC MOSFETs |
| Auteur: |
Banerjee, S. Chatty, K. Chow, T. P. Gutmann, R. J. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 3 pagina's 253-259 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |