|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Structural and electrical properties of unintentionally doped 4H-SiC epitaxial layers—Grown by hot-wall CVD |
| Auteur: |
Wagner, G. Thomas, B. Doerschel, J. Dolle, J. Irmscher, K. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 3 pagina's 207-211 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |