|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Properties of GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Lee, C. D. Ramachandran, V. Sagar, A. Feenstra, R. M. Greve, D. W. Sarney, W. L. Salamanca-Riba, L. Look, D. C. Bai, Song Choyke, W. J. Devaty, R. P. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 3 pagina's 162-169 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |