|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Unintentional incorporation of B, As, and O impurities in GaN grown by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Kim, Hyonju Fälth, Fredrik J. Andersson, Thorvald G. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 10 pagina's 1343-1347 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 17 gevonden artikelen
| << vorige |