|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of NO annealing conditions on electrical characteristics of n-type 4H-SiC MOS capacitors |
| Auteur: |
Li, H. -F. Dimitrijev, S. Sweatman, D. Harrison, H. B. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 29 (2000) nr. 8 pagina's 1027-1032 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |