|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of high-temperature annealing on GaInP/GaAs HBT structures grown by LP-MOVPE |
| Auteur: |
Brunner, F. Richter, E. Bergunde, T. Rechenberg, I. Bhattacharya, A. Maassdorf, A. Tomm, J. W. Kurpas, P. Achouche, M. Würfl, J. Weyers, M. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 29 (2000) nr. 2 pagina's 205-209 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |