|
AlGaInAs/InP strained-layer quantum well lasers at 1.3 µm grown by solid source molecular beam epitaxy |
|
|
|
Titel: |
AlGaInAs/InP strained-layer quantum well lasers at 1.3 µm grown by solid source molecular beam epitaxy |
Auteur: |
Savolainen, P. Toivonen, M. Orsila, S. Saarinen, M. Melanen, P. Vilokkinen, V. Dumitrescu, M. Panarello, T. Pessa, M. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 28 () nr. 8 pagina's 980-985 |
Jaar: |
1999-04-02 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|