|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Gas source molecular beam epitaxy grown strained-Si films on step-graded relaxed Si1−xGex for MOS applications |
| Auteur: |
Bera, L. K. Ray, S. K. Nayak, D. K. Usami, N. Shiraki, Y. Maiti, C. K. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 2 pagina's 98-104 |
| Jaar: |
1999-04-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 18 gevonden artikelen
| volgende >> |