|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Doping and processing epitaxial GexSi1−x films on Si(100) by ion implantation for Si-based heterojunction devices applications |
| Auteur: |
Lie, D. Y. C. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 5 pagina's 377-401 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |