|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth characteristics of hydride-free chemical beam epitaxy and application to GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors |
| Auteur: |
Garcia, J. Dua, C. Mohammadi, S. Park, J. W. Pavlidis, D. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 5 pagina's 442-445 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |