|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Perimeter governed minority carrier lifetimes in 4H-SiC p+n diodes measured by reverse recovery switching transient analysis |
| Auteur: |
Neudeck, Philip G. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 4 pagina's 317-323 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |