|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
P- and N-type doping of GaN and AlGaN epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Eiting, C. J. Grudowski, P. A. Dupuis, R. D. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 4 pagina's 206-209 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |