|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of reactor geometry and diluent gas flow effects on the metalorganic vapor phase epitaxy of AIN and GaN thin films on α(6H)-SiC substrates |
| Auteur: |
Hanser, A. D. Wolden, C. A. Perry, W. G. Zheleva, T. Carlson, E. P. Banks, A. D. Therrien, R. J. Davis, R. F. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 4 pagina's 238-245 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |