|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
ECR plasma etch fabrication of C-doped base InGaAs/InP DHBT structures: A comparison of CH4/H2/Ar vs BCl3/N2 plasma etch chemistries |
| Auteur: |
Kopf, R. F. Hamm, R. A. Malik, R. J. Ryan, R. W. Geva, M. Burm, J. Tate, A. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 2 pagina's 69-72 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |