|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect characterization of n-type Si1−xGex after 1.0 kev helium-ion etching |
| Auteur: |
Goodman, S. A. Auret, F. D. Nauka, K. Malherbe, J. B. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 26 () nr. 5 pagina's 463-469 |
| Jaar: |
1997-06-16 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |