|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Role of interfacial-charge in the growth of GaN on α-SiC |
| Auteur: |
Ren, Shang Yuan Dow, John D. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 26 () nr. 4 pagina's 341-346 |
| Jaar: |
1997-06-14 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |