|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of structural defects and chemical impurities on hall mobilities in low pressure MOCVD grown GaN |
| Auteur: |
Hwang, C. Y. Schurman, M. J. Mayo, W. E. Lu, Y. C. Stall, R. A. Salagaj, T. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 26 (1997) nr. 3 pagina's 243-251 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |