|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of zinc- blende GaN on GaAs (100) substrates at high temperature using low-pressure MOVPE with a Low V/lll molar ratio |
| Auteur: |
Nakadaira, Atsushi Tanaka, Hidenao |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 26 (1997) nr. 3 pagina's 320-324 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |