|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of layer design on the performance of InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on GaAs substrates |
| Auteur: |
Shiralagi, Kumar Shen, Jun Tsui, Ray |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 26 (1997) nr. 12 pagina's 1417-1421 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |