|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Beryllium Ion Implantation into GaAs and Pseudomorphic AIGaAs/lnGaAs/GaAs Heterostructure |
| Auteur: |
Thiery, J. F. Fawaz, H. Pesant, J. C. Linh, N. T. Salmer, G. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 26 (1992) nr. 1 pagina's 16-20 |
| Jaar: |
1992 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |