|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly reliable bipolar resistive switching of tantalum oxide-based memory using Al2O3 diffusion barrier layers |
| Auteur: |
Lee, Seung Ryul Kang, Bo Soo |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 61 () nr. C pagina's 75-79 |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Korean Physical Society |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |