|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Characteristics of GaN epilayer grown on Al2O3 with AlN buffer layer by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Jeon, H.C. Lee, H.S. Si, S.M. Jeong, Y.S. Na, J.H. Park, Y.S. Kang, T.W. Eung Oh, Jae |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 3 (2003) nr. 4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |