|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of post-metal annealing on the electrical performance and stability of two-step-annealed solution-processed In2O3 thin film transistors |
| Auteur: |
Zhang, Liang |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 23 () nr. C pagina's 19-25 |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |