|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
TEOS-based low-pressure chemical vapor deposition for gate oxides in 4H–SiC MOSFETs using nitric oxide post-deposition annealing |
| Auteur: |
Moon, Jeong Hyun Kang, In Ho Kim, Hyoung Woo Seok, Ogyun Bahng, Wook Ha, Min-Woo |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 12 pagina's 1386-1390 |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Korean Physical Society |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |