|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Material lattice orientation effect of local Si1-xGex stressors on the width dependence of high-k metal gate PMOSFETs |
| Auteur: |
Lee, Chang-Chun Huang, Pei-Chen |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 18 (2018) nr. S pagina's S2-S7 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |