|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of AlN layer on the resistive switching properties of TiO2 based ReRAM memory devices |
| Auteur: |
Rathore, Bhawani Pratap Singh Prakash, Ravi Kaur, Davinder |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 18 (2018) nr. 1 pagina's 102-106 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |