|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
A new growth method of semi-insulating GaN layer for HEMT structure by eliminating degenerate layer at GaN/sapphire interface |
| Auteur: |
Shin, In-Su Kim, Donghyun Lee, Donghyun Koh, Yumin Song, Keun Man Shin, Chan Soo Park, Yongjo Yoon, Euijoon |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 15 (2015) nr. S2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |