|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 68 gevonden artikelen
| Titel: |
Characteristics of InGaN light emitting diode depending on Si-doping on InGaN layers below quantum wells |
| Auteur: |
Cho, Sung Nae Kim, Kyu Sang |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 13 (2013) nr. 7 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 68 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |