|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Al2O3/GeO2 stacked gate dielectrics formed by post-deposition oxidation of ultrathin metal Al layer directly grown on Ge substrates |
| Auteur: |
Hideshima, Iori Hosoi, Takuji Shimura, Takayoshi Watanabe, Heiji |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2012) nr. S3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |