|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate stack technology for advanced high-mobility Ge-channel metal-oxide-semiconductor devices – Fundamental aspects of germanium oxides and application of plasma nitridation technique for fabrication of scalable oxynitride dielectrics |
| Auteur: |
Watanabe, Heiji Kutsuki, Katsuhiro Kasuya, Atsushi Hideshima, Iori Okamoto, Gaku Saito, Shoichiro Ono, Tomoya Hosoi, Takuji Shimura, Takayoshi |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2012) nr. S3 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |