|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical characteristics of homoepitaxial p-GaSb analyzed by the p–n junction: A correction on the Hall parameter of heteroepitaxial p-GaSb/SI–GaAs |
| Auteur: |
Kim, Jun Oh Noh, Sam Kyu |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2012) nr. 6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |