|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvements in the device characteristics of IZO-based transparent thin-film transistors with co-sputtered HfO2–Al2O3 gate dielectrics |
| Auteur: |
Son, Heegeun Kim, Jeongsoo Yang, Jungil Cho, Dongkyu Yi, Moonsuk |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 11 (2011) nr. 4S pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |