|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced tunneling properties of band-engineered (HfO2) x (SiO2)1−x /SiO2 double dielectric layers for non-volatile flash memory device |
| Auteur: |
Heo, Min-Young Kim, Jonggi Kang, Hae-Yoon Oh, Jinho Lee, Kyumin Sohn, Hyunchul |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 11 (2011) nr. 2S pagina's nvt p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |