|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
High mobility, bottom gate, nanocrystalline silicon thin film transistors incorporating a nitrogenated incubation layer |
| Auteur: |
Bu, I.Y.Y. Flewitt, A.J. Milne, W.I. |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 11 (2011) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |