|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Relation between N–H complexes and electrical properties of GaAsN determined by H implantation |
| Auteur: |
Lee, Jong-Han Suzuki, Hidetoshi Han, Xiuxun Honda, Katahiko Tanaka, Tomohiro Hwang, Jong-Ha Bouzazi, Boussairi Inagaki, Makoto Kojima, Nobuaki Ohshita, Yoshio Yamaguchi, Masafumi |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 10 (2010) nr. 3S pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |