|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of poly silicon thickness on the formation of Ni-FUSI gate by using atomic layer deposited nickel film |
| Auteur: |
Ha, Jong-Bong Yun, Sang-Won Lee, Jung-Hee |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 10 (2010) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |