|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer |
| Auteur: |
Zhao, Zhiqian Li, Yongliang Gu, Shihai Zhang, Qingzhu Wang, Guilei Li, Junjie Li, Yan Xu, Gaobo Ma, Xueli Wang, Xiaolei Yang, Hong Luo, Jun Li, JunFeng Yin, Huaxiang Wang, Wenwu |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 99 (2019) nr. C pagina's 159-164 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |