|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of oxide trapping in SiC MOSFETs by means of TCAD simulations |
| Auteur: |
Miccoli, Cristina Iucolano, Ferdinando |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 97 (2019) nr. C pagina's 40-43 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |