|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative study of boron doped gate oxide impact on 4H and 6H-SiC n-MOSFETs |
| Auteur: |
Cabello, Maria Soler, Victor Knoll, Lars Montserrat, Josep Rebollo, Jose Mihaila, Andrei Godignon, Philippe |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 93 (2019) nr. C pagina's 357-359 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |