|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
GaN Schottky barrier diode with thermally stable nickel nitride electrode deposited by reactive sputtering |
| Auteur: |
Li, Xiaobo Hoshi, Taiki Li, Liuan Pu, Taofei Zhang, Tong Xie, Tian Li, Xianjie Ao, Jin-Ping |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 93 (2019) nr. C pagina's 1-5 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |