|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to “Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures” [Materials Science in Semiconductor Processing 91 (2019) 356–361] |
| Auteur: |
Ťapajna, M. Drobný, J. Gucmann, F. Hušeková, K. Gregušová, D. Hashizume, T. Kuzmík, J. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 93 (2019) nr. C pagina's 381 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |