|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of the AlN interlayer on electroluminescent performance of n-SnO2/p-GaN heterojunction light-emitting diodes |
| Auteur: |
Xue, Xiaoe Zhang, Lichun Geng, Xuewen Huang, Yu Zhang, Baoyu Zhao, Yuan Xu, Man Yan, Jinliang Zhang, Dengying Zhao, Fengzhou |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 91 (2019) nr. C pagina's 409-413 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |