|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 55 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of the Stark effect in strained Ge0.6Si0.4/Si/Ge0.6Si0.4 resonant tunneling diodes with graded Ge x Si1− x (0.3<x<0) spacer emitter and collector |
| Auteur: |
Sfina, N. Abdi-Ben Nasrallah, S. Lazzari, J.-L. Said, M. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 9 (2006) nr. 4-5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 55 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |